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Samsung 850 EVO MZ N5E500BW Solid State Disk

Samsung 850 EVO MZ N5E500BW Solid State Disk

Nummer:
104075
Hersteller-Nr.:
MZ-N5E500BW
EAN/GTIN:
8806086587341

Beschreibung

Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.

Produktbeschreibung
Samsung 850 EVO MZ-N5E500BW - Solid-State-Disk - 500 GB - SATA 6Gb/s
Typ
Solid-State-Disk - intern
Kapazität
500 GB
Hardwareverschlüsselung
Ja
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
SATA 6Gb/s
Datenübertragungsrate
600 MBps
Puffergrösse
512 MB
Merkmale
Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, DevSleep-Modus, Microsoft eDrive-kompatibel, 3D V-NAND Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), RAPID-Modus-Unterstützung, TurboWrite Technology, Samsung MGX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
22.1 mm x 80.3 mm x 1.52 mm
Herstellergarantie
5 Jahre Garantie

Technische Spezifikationen

Allgemein

Gerätetyp
Solid-State-Disk - intern
Kapazität
500 GB
Hardwareverschlüsselung
Ja
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
SATA 6Gb/s
Puffergröße
512 MB
Merkmale
Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, DevSleep-Modus, Microsoft eDrive-kompatibel, 3D V-NAND Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), RAPID-Modus-Unterstützung, TurboWrite Technology, Samsung MGX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Breite
22.1 mm
Tiefe
80.3 mm
Höhe
1.52 mm

Leistung

Übertragungsrate Laufwerk
600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz
540 MBps (lesen)/ 500 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
89000 IOPS

Zuverlässigkeit

MTBF
1,500,000 Stunden

Erweiterung und Konnektivität

Schnittstellen
1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280

Stromversorgung

Energieverbrauch
50 mW (aktiv) ¦ 3.5 Watt (Durchschnitt) ¦ 4.7 Watt (Maximum) ¦ 2 mW (Sleep-Modus)

Software & Systemanforderungen

Software inbegriffen
Samsung Magician Software, Samsung Data Migration

Herstellergarantie

Service & Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre

Umgebungsbedingungen

Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Halbsinus-Impuls