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Micron 1100 Solid State Disk verschlüsselt

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Micron 1100 Solid State Disk verschlüsselt

Nummer:
105551
Hersteller-Nr.:
MTFDDAV1T0TBN-1AR12ABYY
EAN/GTIN:
0649528779977

Beschreibung

Produktbeschreibung
Micron 1100 - Solid-State-Disk - 1024 GB - SATA 6Gb/s
Typ
Solid-State-Disk - intern
Kapazität
1024 GB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Encryption Algorithm
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
16nm 3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
M.2 2280 (M.2 2280)
Schnittstelle
SATA 6Gb/s
Datenübertragungsrate
600 MBps
Merkmale
Native Command Queuing (NCQ), Device Initiated Power Management (DIPM), Secure Erase-Funktion, einstellbare thermische Überwachung, DEVSLP SATA-Energiesparmodus, Microsoft eDrive-kompatibel, Unterstützung für Multi-Word DMA-Modus 0-2, Ultra DMA Mode 0-6 support, Unterstützung für PIO-Modus 3, 4, dynamische Schreibbeschleunigung, S.M.A.R.T.
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
22 mm x 80 mm

Technische Spezifikationen

Allgemein

Gerätetyp
Solid-State-Disk - intern
Kapazität
1024 GB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Encryption Algorithm
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
16nm 3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
M.2 2280 (M.2 2280)
Schnittstelle
SATA 6Gb/s
Byte pro Sektor
512
Merkmale
Native Command Queuing (NCQ), Device Initiated Power Management (DIPM), Secure Erase-Funktion, einstellbare thermische Überwachung, DEVSLP SATA-Energiesparmodus, Microsoft eDrive-kompatibel, Unterstützung für Multi-Word DMA-Modus 0-2, Ultra DMA Mode 0-6 support, Unterstützung für PIO-Modus 3, 4, dynamische Schreibbeschleunigung, S.M.A.R.T.
Breite
22 mm
Tiefe
80 mm

Leistung

SSD-Leistung
400 TB
Übertragungsrate Laufwerk
600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz
530 MBps (lesen)/ 500 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
92000 IOPS
4 KB Random Write
83000 IOPS
Mittlere Wartezeit
40 µs

Zuverlässigkeit

MTBF
1,500,000 Stunden
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^15

Erweiterung und Konnektivität

Schnittstellen
1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280 (M.2 2280)

Stromversorgung

Energieverbrauch
65 mW (Leerlauf) ¦ 75 mW (aktiv) ¦ 4 mW (Sleep-Modus) ¦ 5000 mW (Maximum)

Verschiedenes

Kennzeichnung
TUV, RRL, ICES-003 Class B, IC, RoHS, UL 60950-1 Second Edition, KCC, WEEE, BSMI CNS 13438, FCC CFR47 Part 15 B, RCM, VCCI V-3/2011.04, Directive 2012/19/EC, OPAL 2.0, IEC60950/EN60950, IEEE 1667, KN32, KN35, EN 55032 Class B, ATA-8 ACS3, AS/NZS CISPR 32 Class B

Umgebungsbedingungen

Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95% (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
3.1 g @ 5-800 Hz